Rob Crooke, VP e GM di Intel NVM Group, ha annunciato ieri all’annuale Investor Group Meeting che entro la metà del 2015 Intel svilupperà una memoria flash 3D NAND basata su uno stack a 32 strati con 256 Gb di densità in ogni die ma potrà anche essere costituita da 348 Gb per die, a differenza dei modelli Samsung che offrono 86 Gb per die.
Rob Crooke sostiene che in questo modo si potrà ottenere 1 TB di capacità in soli 2 millimetri di spessore e che non sarà più un problema superare i limiti di archiviazione, infatti entro due anni saranno disponibili SSD da 10 TB, la tecnologia farà passi da gigante grazie ad Intel.
Questa è una grande notizia per gli investitori di Intel, la diffusione degli SSD crescerà in modo esponenziale e con questa tecnologia costeranno anche molto meno rispetto a quelli attualmente in circolazione, tanto da trovarli già inclusi nei portatili in vendita entro i prossimi due anni e di conseguenza scenderà anche il prezzo degli ultrabook.
